锗二极管的导通电压是多少 锗二极管的死区电压是多少

锗二极管是一种半导体器件，与硅二极管相比具有更低的费用和更广泛的使用范围。当正向偏压被施加到锗二极管上时，其会开始导通，形成电流路径。而在反向偏压下，它则基本不会导电。

导通电压是指锗二极管开始传导电流所需的最小正向偏压。它的值取决于器件的特性和工作温度，通常在0.2V至0.4V之间。与硅二极管相比，锗二极管的导通电压较低。

锗二极管的死区电压也叫反向击穿电压，是指锗二极管在反向偏压下，达到击穿的最小电压。其值也取决于器件的特性和工作温度，通常在60V至80V之间。